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STHU65N050DM9AG
MOSFET, N-CH, 650V, 51A, HU3PAK
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.690 |
| 10+ | $10.070 |
| 25+ | $9.550 |
| 50+ | $9.020 |
| 100+ | $8.510 |
| 250+ | $8.220 |
| 500+ | $7.950 |
| 1200+ | $7.660 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.69
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTHU65N050DM9AG
No. Parte Newark26AM8859
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id51A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorHU3PAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia245W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
51A
Diseño de Transistor
HU3PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
245W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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