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2SC5200-O(Q)
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.280 |
| 10+ | $2.810 |
| 25+ | $2.540 |
| 50+ | $2.260 |
| 100+ | $1.980 |
| 300+ | $1.800 |
| 500+ | $1.710 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SC5200-O(Q)
No. Parte Newark08AK8209
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor230V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua15A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150W
Diseño de TransistorTO-3PL
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30MHz
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.55hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
2SC5200-O(Q) es un transistor NPN de silicio de triple difusión, de orificio pasante, TO-3PL, de 230V, 15A, 150W, para aplicaciones de amplificador de potencia.
- Voltaje de ruptura alto VCEO de 230V (mín.)
- Tensión de ruptura colector-emisor de 230V en IC = 50mA, IB = 0
- Complementario a 2SA1943
- Voltaje de base del emisor VEBO de 5V
- Corriente de colector de 15A y corriente de base de 1.5A
- Temperatura de unión Tj de 150°C
- Corriente de corte del colector de 5μA en VCB = 230V, IE = 0
- Frecuencia de transición típica de 30MHz a VCE = 5V, IC = 1A
- Capacitancia de salida del colector típica de 200pF en VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230V
Corriente del Colector Continua
15A
Disipación de Potencia
150W
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
30MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
55hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-3PL
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto