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2SK879-GR(TE85L,F)
TRANSISTOR, JFET, N-CH, 0.0065A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.526 |
| 10+ | $0.366 |
| 25+ | $0.327 |
| 50+ | $0.290 |
| 100+ | $0.251 |
| 250+ | $0.225 |
| 500+ | $0.198 |
| 1000+ | $0.181 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK879-GR(TE85L,F)
No. Parte Newark03AM3304
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero6.5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta5V
Diseño de TransistorSOT-323
Núm. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
5V
Núm. de Pines
3 Pin
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
6.5mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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