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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteGT30J65MRB,S1E(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark68AK5257
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30 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 10+ | $3.790 |
| 25+ | $3.410 |
| 50+ | $3.240 |
| 100+ | $2.900 |
| 250+ | $2.550 |
| 500+ | $2.480 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.27
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteGT30J65MRB,S1E(SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark68AK5257
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.4
Disipación de Potencia200
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.4
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto