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HN1B04FU-GR,LF(T
BIPOLAR TRANS, COMP NPN/PNP, 50V, SOT363 ROHS COMPLIANT: YES
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2,980 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.334 |
| 10+ | $0.230 |
| 25+ | $0.185 |
| 50+ | $0.140 |
| 100+ | $0.094 |
| 250+ | $0.085 |
| 500+ | $0.075 |
| 1000+ | $0.066 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1B04FU-GR,LF(T
No. Parte Newark99AK9447
Transistor, PolaridadComplementary NPN and PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente NPN de Colector Continua150mA
Corriente PNP de Colector Continua150mA
Disipación de Potencia NPN200mW
Disipación de Potencia PNP200mW
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD200hFE
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN150MHz
Frecuencia de Transición PNP120MHz
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Complementary NPN and PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Corriente PNP de Colector Continua
150mA
Disipación de Potencia PNP
200mW
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
200hFE
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
120MHz
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente NPN de Colector Continua
150mA
Disipación de Potencia NPN
200mW
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200hFE
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
150MHz
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Alternativas para el número de pieza HN1B04FU-GR,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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