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MT3S111(TE85L,F)
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN, 6 V, 100 mA, 160 mW
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteMT3S111(TE85L,F)
No. Parte Newark09AK5786
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor6V
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor6
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua100mA
Corriente NPN de Colector Continua100
Disipación de Potencia700mW
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN160
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200
Frecuencia de Transición11.5GHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorTO-236
No. de Pines3Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN11.5
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
6
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia
700mW
Disipación de Potencia NPN
160
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Diseño de Transistor
TO-236
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
11.5
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
6V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente NPN de Colector Continua
100
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Frecuencia de Transición
11.5GHz
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto