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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.484 |
10+ | $0.374 |
25+ | $0.259 |
50+ | $0.216 |
100+ | $0.182 |
250+ | $0.148 |
500+ | $0.125 |
1000+ | $0.105 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J56ACT,L3F(T
No. Parte Newark03AM3029
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Diseño de TransistorSOT-883
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Diseño de Transistor
SOT-883
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto