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SSM3K123TU,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $0.266 |
| 100+ | $0.224 |
| 250+ | $0.190 |
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| 1000+ | $0.131 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K123TU,LF(T
No. Parte Newark09AK7968
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorSOT-323F
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia800mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-323F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
800mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto