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SSM3K17FU,LF(T
MOSFET, N-CH, 50V, 0.1A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K17FU,LF(T
No. Parte Newark01AM0618
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente20ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
20ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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