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SSM3K35CT,L3F(T
MOSFET, N-CH, 20V, 0.18A, CST ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K35CT,L3F(T
No. Parte Newark83AK2791
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3ohm
Diseño de TransistorCST
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia100mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Diseño de Transistor
CST
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
100mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Alternativas para el número de pieza SSM3K35CT,L3F(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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