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SSM3K35MFV,L3XGF(T
MOSFET, N-CH, 20V, 0.18A, SOT-723 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.345 |
| 10+ | $0.268 |
| 25+ | $0.187 |
| 50+ | $0.158 |
| 100+ | $0.135 |
| 250+ | $0.110 |
| 500+ | $0.095 |
| 1000+ | $0.082 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3K35MFV,L3XGF(T
No. Parte Newark01AM0623
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3ohm
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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