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SSM6L807R,LF(T
MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.741 |
| 10+ | $0.571 |
| 25+ | $0.478 |
| 50+ | $0.402 |
| 100+ | $0.339 |
| 250+ | $0.291 |
| 500+ | $0.240 |
| 1000+ | $0.205 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L807R,LF(T
No. Parte Newark01AM0637
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0391ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTSOP-F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.8W
Disipación de Potencia de Canal P1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.8W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0391ohm
Diseño de Transistor
TSOP-F
Disipación de Potencia de Canal N
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto