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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N24TU,LF(T
No. Parte Newark03AM3060
Rango de ProductoU-MOSIII Series
2,490 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.440 |
| 10+ | $0.338 |
| 25+ | $0.281 |
| 50+ | $0.236 |
| 100+ | $0.198 |
| 250+ | $0.169 |
| 500+ | $0.138 |
| 1000+ | $0.117 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.20
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N24TU,LF(T
No. Parte Newark03AM3060
Rango de ProductoU-MOSIII Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N500mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.145ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoU-MOSIII Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
U-MOSIII Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
500mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.145ohm
Diseño de Transistor
SOT-363F
Disipación de Potencia de Canal N
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto