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TBD62083AFNG(Z,EL)
Arreglo Transistor DMOS, 8 Salidas, Salida 500mA/50V, -40 a 85 °C, SSOP-18
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FabricanteTOSHIBA
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No. Parte Newark74AK2913RL
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| 500+ | $24.200 |
| 1000+ | $23.000 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
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No. Parte Newark74AK2913RL
Hoja de datos técnicos
Resumen del producto
El TBD62083AFNG(Z,EL) es un circuito integrado monolítico de silicio BiCD de la serie TBD62083A. Incorpora un diodo de sujeción para la conmutación de cargas inductivas en cada salida.
- Matriz de transistores DMOS de tipo sumidero de 8 canales
- El voltaje alto es de 50V (máx., Ta = 25 °C), la corriente alta es de 500mA/ch (máx., Ta = 25 °C)
- Rango de voltaje de entrada de 2.5 a 25V (salida activada, IOUT = 100mA o superior, VOUT = 2V, Ta = -40 a 85 °C)
- El voltaje del pin COMÚN es de 50V (máx., Ta = -40 a 85 °C).
- La corriente directa del diodo de sujeción es de 400mA (máx., Ta = -40 a 85 °C).
- La corriente de fuga de salida es de 1.0μA (máx., VOUT = 50V, Ta = 85 °C, VIN = 0V).
- El retardo de encendido es de 0.4μs (típico, VOUT = 50V, RL = 125ohms, CL = 15pF).
- El retardo de apagado es de 0.8μs (típico, VOUT = 50V, RL = 125 ohms, CL = 15pF).
- Paquete SSOP18-P-225-0.65, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a 85 °C
Notas
Tenga cuidado con las condiciones térmicas durante el uso.
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto