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TK8P25DA,RQ(S
MOSFET, P-CHANNEL, 250V, 7.5A, DPAK ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.080 |
| 10+ | $0.901 |
| 25+ | $0.810 |
| 50+ | $0.734 |
| 100+ | $0.646 |
| 250+ | $0.581 |
| 500+ | $0.484 |
| 1000+ | $0.470 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK8P25DA,RQ(S
No. Parte Newark29AM9338
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id7.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente500µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia55W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.5A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
55W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto