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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPC8120Copiar
No. Parte Newark55T7367
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.0026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia1.9
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El TPC8120 es un MOSFET de canal P de silicio de -30 V con baja resistencia a la activación de la fuente de drenaje. Adecuado para su uso en aplicaciones de interruptores de administración de energía y baterías de iones de litio.
- Admisión de transferencia directa elevada
- Baja corriente de fuga
- Modo mejorado
- Tamaño reducido debido al paquete pequeño y delgado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.9W
Disipación de Potencia
1.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0026ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
