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TPH1R712MD,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH1R712MD,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6545
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7545RL
Cinta adhesiva08AK7545
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421 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.930 | $1.93 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.93 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.930 |
| 50+ | $1.700 |
| 100+ | $1.530 |
| 250+ | $1.370 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.020 |
| 2500+ | $0.931 |
| 5000+ | $0.881 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.925 |
| 15000+ | $0.870 |
| 25000+ | $0.825 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH1R712MD,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6545
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7545RL
Cinta adhesiva08AK7545
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto