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TPN2010FNH,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN2010FNH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5825
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7547RL
Cinta adhesiva08AK7547
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25 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.040 | $5.20 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.040 |
| 50+ | $0.888 |
| 100+ | $0.800 |
| 250+ | $0.726 |
| 500+ | $0.610 |
| 1000+ | $0.538 |
| 2500+ | $0.469 |
| 5000+ | $0.449 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.469 |
| 10000+ | $0.427 |
| 20000+ | $0.384 |
| 30000+ | $0.369 |
| 50000+ | $0.361 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN2010FNH,L1Q(MCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5825
Re-reeling (Rollos a medida)08AK7547RL
Cinta adhesiva08AK7547
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id9.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.198ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia39W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.198ohm
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
39W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto