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TW092V65C,LQ(S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 27A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.140 |
| 10+ | $14.070 |
| 25+ | $13.140 |
| 50+ | $12.230 |
| 100+ | $11.300 |
| 250+ | $10.660 |
| 500+ | $10.140 |
| 1000+ | $9.710 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW092V65C,LQ(S
No. Parte Newark27AM4912
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id27A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.136ohm
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines5Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia111W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
27A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.136ohm
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
111W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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