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XPH3R114MC,L1Q(O
MOSFET, P-CH, 40V, 100A, WFSOP ADVANCE ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R114MC,L1Q(O
No. Parte Newark46AM3281
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 106 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $2.730 |
| 25+ | $2.480 |
| 50+ | $2.230 |
| 100+ | $1.960 |
| 250+ | $1.700 |
| 500+ | $1.570 |
| 1000+ | $1.490 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiple: 10
$27.30
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R114MC,L1Q(O
No. Parte Newark46AM3281
Rango de ProductoU-MOSVI Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0031ohm
Diseño de TransistorWFSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia170W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVI Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
WFSOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0031ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVI Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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