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IRF840SPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840SPBF
No. Parte Newark63J7419
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
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