Imprimir página
IRF9510PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark63J7426
Su número de pieza
71 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.660 |
| 10+ | $1.240 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $1.100 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $1.020 |
| 5000+ | $1.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.66
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark63J7426
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd43W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF9510PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
43W
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF9510PBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto