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IRF9Z34PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z34PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J7425
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z34PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J7425
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd88W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia88
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza IRF9Z34PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IRF9Z34PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Disipación de Potencia Pd
88W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
88
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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