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IRFI9Z34GPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.14 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9Z34GPBF
No. Parte Newark63J6783
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Intensidad Drenador Continua Id12A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd42W
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia42W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-220
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
42W
Disipación de Potencia
42W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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