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IRFPS40N50LPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 46 A, 0.1 ohm, Super-247, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFPS40N50LPBF
No. Parte Newark63J6830
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.087ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd450W
Diseño de TransistorSuper-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia450
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
450W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia de Activación Rds(on)
0.087ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
Super-247
Disipación de Potencia
450
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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