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MXP120A080FW-GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 29A, TO-247AD-3 ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteMXP120A080FW-GE3
No. Parte Newark16AM6774
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id29A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-247AD
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia139W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
29A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247AD
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
139W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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