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SI1016CX-T1-GE3
MOSFET, COMPLEMENTARY, 20V, 0.6A/SOT-563 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 12000+ | $0.136 |
| 18000+ | $0.133 |
| 30000+ | $0.132 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1016CX-T1-GE3
No. Parte Newark96AJ0097
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N600mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P600mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.33ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.33ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N220mW
Disipación de Potencia de Canal P220mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
600mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.33ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
220mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
600mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.33ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
220mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI1016CX-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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