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SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark69W7175
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| 1+ | $0.856 |
| 25+ | $0.546 |
| 50+ | $0.458 |
| 100+ | $0.369 |
| 250+ | $0.331 |
| 500+ | $0.293 |
| 1000+ | $0.269 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1401EDH-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark69W7175
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)1.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia2.8
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Diseño de Transistor
SOT-363
Voltaje de Prueba Rds(on)
1.5
Disipación de Potencia
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto