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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2304BDS-T1-E3
No. Parte Newark85W2138
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id3.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.08W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia1.08
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2304BDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia con modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30 VDS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Disipación de Potencia Pd
1.08W
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.08
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2304BDS-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto