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SI2315BDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2315BDS-T1-E3
No. Parte Newark06J7577
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd750mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2315BDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P con disipación de potencia a 750mW.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±8V
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza SI2315BDS-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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