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SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4403CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6506RL
Cinta adhesiva70AC6506
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.300 | $1.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.300 |
| 50+ | $0.816 |
| 100+ | $0.537 |
| 250+ | $0.477 |
| 500+ | $0.417 |
| 1000+ | $0.378 |
| 2500+ | $0.335 |
| 5000+ | $0.297 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4403CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6506RL
Cinta adhesiva70AC6506
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id13.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.0125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0155
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI4403CDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 1.8VGS adecuado para interruptor adaptador, interruptor de carga de alta corriente y aplicaciones de notebook.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0155
Disipación de Potencia Pd
5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4403CDY-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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