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SI4946BEY-T1-E3
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87K0417
Re-reeling (Rollos a medida)75M3216
Cinta adhesiva75M3216
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $1.100 | $2,750.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2,750.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.100 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.801 |
| 5000+ | $0.788 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87K0417
Re-reeling (Rollos a medida)75M3216
Cinta adhesiva75M3216
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.4
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4946BEY-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal de 60V. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Temperatura máxima de unión 175°C.
- Rg probado 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza SI4946BEY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto