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SI4948BEY-T1-E3
MOSFET Dual, Canal P, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 100 mohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4948BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57J5688RL
Cinta adhesiva57J5688
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.110 | $2.11 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.903 |
| 250+ | $0.831 |
| 500+ | $0.658 |
| 1000+ | $0.646 |
| 2500+ | $0.632 |
| 5000+ | $0.619 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4948BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57J5688RL
Cinta adhesiva57J5688
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id2.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente100
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente100
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI4948BEY-T1-E3 es un MOSFET de doble canal P alojado en un paquete de montaje en superficie.
- TrenchFET® power MOSFET
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
100
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
100
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4948BEY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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