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SI7216DN-T1-GE3
MOSFET, DUAL/N-CH/40V/6.5A/POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7216DN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0460
Rango de ProductoTrench Series
354 En Stock
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7216DN-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0460
Rango de ProductoTrench Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Núm. de Contactos8Pines
Disipación de Potencia de Canal N20.8W
Disipación de Potencia de Canal P20.8W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025ohm
Núm. de Contactos
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
20.8W
Rango de Producto
Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
20.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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