Imprimir página
SI7220DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 3.4A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7220DN-T1-GE3
No. Parte Newark86AK6315
Rango de ProductoTrenchFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.360 |
| 6000+ | $1.300 |
| 12000+ | $1.210 |
| 18000+ | $1.170 |
| 30000+ | $1.140 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$4,080.00
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7220DN-T1-GE3
No. Parte Newark86AK6315
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.048ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.3W
Disipación de Potencia de Canal P1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.3W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.048ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto