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SI7288DP-T1-GE3.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 40 V, 20 A, 1.9 mohm
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7288DP-T1-GE3.
No. Parte Newark30AC0191
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.9
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N15.6
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.9
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
15.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
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