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SI7812DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 16 A, 0.037 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7812DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1935
Cinta adhesiva26R1935
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $1.360 | $4,080.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4,080.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.360 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7812DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1935
Cinta adhesiva26R1935
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037
Resistencia de Activación Rds(on)0.046ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd3.8W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7812DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 75 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado primario.
- Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07mm
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.046ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7812DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto