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SI8818EDB-T2-E1
MOSFET, N-CH, 30V, 2.2A, MICRO FOOT-4 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8818EDB-T2-E1
No. Parte Newark88AK0146
Rango de ProductoTrenchFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.683 |
| 10+ | $0.434 |
| 25+ | $0.389 |
| 50+ | $0.343 |
| 100+ | $0.297 |
| 250+ | $0.264 |
| 500+ | $0.230 |
| 1000+ | $0.205 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.42
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8818EDB-T2-E1
No. Parte Newark88AK0146
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.128ohm
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia900mW
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.128ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto