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SIHB155N60EF-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB155N60EF-GE3
No. Parte Newark85AK4792
Rango de ProductoEF IV Gen Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.440 |
| 10+ | $4.580 |
| 25+ | $4.330 |
| 50+ | $4.070 |
| 100+ | $3.830 |
| 500+ | $3.530 |
| 1000+ | $3.140 |
| 2500+ | $3.040 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.44
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB155N60EF-GE3
No. Parte Newark85AK4792
Rango de ProductoEF IV Gen Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.159ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia179W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEF IV Gen Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
179W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.159ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
EF IV Gen Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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