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SIR510DP-T1-RE3
MOSFET, CANAL N, 100V, 126A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR510DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6231
Re-reeling (Rollos a medida)31AJ7243RL
Cinta adhesiva31AJ7243
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
Su número de pieza
5,316 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.000 | $4.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.000 |
| 50+ | $2.770 |
| 100+ | $2.060 |
| 250+ | $1.910 |
| 500+ | $1.750 |
| 1000+ | $1.720 |
| 2500+ | $1.690 |
| 5000+ | $1.650 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.120 |
| 9000+ | $1.080 |
| 15000+ | $1.060 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR510DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6231
Re-reeling (Rollos a medida)31AJ7243RL
Cinta adhesiva31AJ7243
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id126A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia104W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3000µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
126A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto