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SIR662DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR662DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)83T3534RL
Cinta adhesiva83T3534
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.590 | $2.59 |
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.590 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.160 |
| 250+ | $1.050 |
| 500+ | $0.947 |
| 1000+ | $0.877 |
| 2500+ | $0.847 |
| 5000+ | $0.817 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR662DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)83T3534RL
Cinta adhesiva83T3534
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0027
Resistencia de Activación Rds(on)0.0022ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd104W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIR662DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 60V. Adecuado para su uso en rectificación síncrona, interruptor lateral primario, sistema de entretenimiento, convertidor CD/CD y circuitos convertidores de punto de carga. El MOSFET de canal N para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con resistencias de matriz de alrededor de 1 mΩ y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Qg bajo para alta eficiencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0027
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0022ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIR662DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto