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SIR871DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 100V, 48A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR871DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0406
Rango de ProductoThunderFET
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.110 |
| 10+ | $2.410 |
| 25+ | $2.250 |
| 50+ | $2.090 |
| 100+ | $1.930 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR871DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0406
Rango de ProductoThunderFET
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id48A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia89W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
48A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Disipación de Potencia
89W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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