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SIR882DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR882DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86R3813
Cinta adhesiva94T2661
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $1.140 | $3,420.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3,420.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.140 |
| 6000+ | $1.120 |
| 9000+ | $1.090 |
| 15000+ | $1.070 |
| 30000+ | $1.050 |
| 75000+ | $1.030 |
| 150000+ | $1.000 |
| 300000+ | $0.980 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.220 |
| 9000+ | $1.200 |
| 15000+ | $1.170 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR882DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86R3813
Cinta adhesiva94T2661
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0087
Resistencia de Activación Rds(on)0.0071ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5.4W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia5.4
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIR882DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia en modo de canal N TrenchFET® de 100 VDS adecuado para el interruptor del lado primario de CC a CC, el servidor de telecomunicaciones y las aplicaciones de CC a CC de puente completo / medio puente.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0087
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5.4W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0071ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
5.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIR882DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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