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SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark70AC6478
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.590 |
| 6000+ | $1.560 |
| 9000+ | $1.530 |
| 15000+ | $1.490 |
| 30000+ | $1.460 |
| 75000+ | $1.430 |
| 150000+ | $1.400 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$4,770.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA00DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark70AC6478
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.001
Resistencia de Activación Rds(on)830µohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd104W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The SIRA00DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, O-ring, high power density DC-to-DC, VRMs and embedded DC-to-DC applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.001
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
104W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
830µohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIRA00DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto