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SIS4406DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 62.8A, POWERPACK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS4406DN-T1-GE3
No. Parte Newark85AK4801
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
50 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 10+ | $1.060 |
| 25+ | $0.952 |
| 50+ | $0.847 |
| 100+ | $0.741 |
| 250+ | $0.676 |
| 500+ | $0.610 |
| 1000+ | $0.576 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.62
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS4406DN-T1-GE3
No. Parte Newark85AK4801
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id62.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4750µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia33.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
62.8A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
33.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4750µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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