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SISD5110DN-T1-UE3
MOSFET, N-CH, 100V, 55A, POWERPAK 1212-F ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISD5110DN-T1-UE3
No. Parte Newark20AM8095
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
6,000 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.560 |
| 10+ | $2.450 |
| 25+ | $2.270 |
| 50+ | $2.060 |
| 100+ | $1.850 |
| 250+ | $1.630 |
| 500+ | $1.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.56
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISD5110DN-T1-UE3
No. Parte Newark20AM8095
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia57W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-F
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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