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SISS4410DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 36A, POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS4410DN-T1-GE3
No. Parte Newark79AK7542
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
5,939 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $0.903 |
| 25+ | $0.813 |
| 50+ | $0.725 |
| 100+ | $0.636 |
| 250+ | $0.578 |
| 500+ | $0.520 |
| 1000+ | $0.482 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS4410DN-T1-GE3
No. Parte Newark79AK7542
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia19.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
19.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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