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SISS5812DN-T1-GE3
N-CH MOSFET, 80V, 42.8A/POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS5812DN-T1-GE3
No. Parte Newark88AK0142
Rango de ProductoTrenchFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 43 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.340 |
| 10+ | $1.280 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.080 |
| 100+ | $0.997 |
| 250+ | $0.869 |
| 500+ | $0.776 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.34
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS5812DN-T1-GE3
No. Parte Newark88AK0142
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id42.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0135ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia44.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42.8A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
44.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0135ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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