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SISS63DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 127.5A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS63DN-T1-GE3
No. Parte Newark86AK6255
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.705 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$2,115.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS63DN-T1-GE3
No. Parte Newark86AK6255
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id127.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0027ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia65.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
127.5A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0027ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Alternativas para el número de pieza SISS63DN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto