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SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET, DUAL, C-N, 30V, 100A, POWERPAIR
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF5302DT-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AK5554RL
Cinta adhesiva42AK5554
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
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12,659 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.960 | $2.96 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.96 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.960 |
| 50+ | $1.910 |
| 100+ | $1.310 |
| 250+ | $1.190 |
| 500+ | $1.060 |
| 1000+ | $0.989 |
| 2500+ | $0.962 |
| 5000+ | $0.936 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF5302DT-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AK5554RL
Cinta adhesiva42AK5554
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N100A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2700µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2700µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N48.1W
Disipación de Potencia de Canal P48.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2700µohm
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal P
48.1W
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
100A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2700µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
48.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto